En
Ru
Menu
Vol. 46 (2010), Issue 6, p. 5-7
ELECTRICAL PRECISION TREATMENT OF MATERIALS
The Impact of High Energy Ion Irradiation Upon CO Gas Sensitivity of Nanostructured GaN Epilayers
Volciuc O.S., Popa V., Tiginyanu I.M., Skuratov V.A., Cho M., Pavlidis D.
Abstract
УДК 621.315.592
Photoelectrochemically nanostructured GaN epilayers were found to exhibit good sensitivity towards CO in the temperature range from 180 to 280°C. We show that subjection of nanostructured GaN samples to 166 MeV Xe+23 ion irradiation causes considerable reduction of the gas sensitivity, while post-irradiation rapid thermal annealing results in sensitivity restoration, the effect being dependent upon the dose of irradiation and annealing temperature. A 50 % restoration of the relative sensitivity is demonstrated after rapid thermal annealing for 1 min at 800°C in samples irradiated by Xe+23 ions at a dose of 1012 cm-2.
Химическая и радиационная стойкость GaN, а также высокий температурный режим мотивировали создать датчик газа, основанный на его наноструктурированном слое. Датчик демонстрирует высокую чувствительность по отношению к газообразному оксиду углерода. Было продемонстрировано значительное снижение чувствительности датчика после его облучения тяжелыми ионами высоких энергий. Последующий быстрый термический отжиг позволял восстановить чувствительность вплоть до 50% от номинальной - в зависимости от дозы облучения и температуры отжига.
Download full-text PDF. 1780 downloads
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.