Влияние микрогетеропереходов кремний – германий на параметры кремниевых солнечных элементов

Абдурахманов Б.А., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Тошев А.Р., Эгамбердиев Б.Э.

Abstract

УДК 621.315.592

Установлено, что отжиг при 850 °C монокристаллического кремния, легированного германием, приводит к образованию внутренних микрогетеропереходов Si/SiGe/Si, которые повышают до 2,5 % эффективность солнечных элементов, изготовленных на его основе.

It is established, that annealing at 850 °C the monocrystal silicon doped with germanium, reduce to the formation internal microheterojunctions Si/SiGe/Si, which enhancement of efficiency to 2,5 % of solar cells made on its basis.

Download full-text PDF. 4044 downloads

Menu

Vol. 46 (2010), Issue 5, p. 124-126

Влияние микрогетеропереходов кремний – германий на параметры кремниевых солнечных элементов

Abstract