Взаимодействие радиационных дефектов с кластерами атомов никеля в кремнии

Илиев Х.М., Сапарниязова З.М., Исмайлов К.А., Саттаров О.Э., Нигмонхаджаев С.

Abstract

УДК 621.315.592

It is shown, that presence of clusters in lattice essential increase radiation stability of silicon. На основе ИК-микроскопических исследований показано, что кластеры примесных атомов никеля распределены равномерно по всему объему кристалла кремния и, при γ – облучении изменяя плотность кластеров, можно управлять концентрацией электроактивных атомов, а также структурой кластеров никеля. Показано, что наличие кластеров в решетке существенно увеличивает радиационную стойкость кремния.

In the article on the base of infrared microscopic investigations it is shown that clusters of nickel atoms impurity are equally distributed on the whole volume of the silicon crystal, as well as at gamma irradiation by changing density of clusters in silicon it is possible to control the concentration of electroactive atoms, as well clusters structure of nickel.

Download full-text PDF. 3177 downloads

Menu

Vol. 47 (2011), Issue 5, p. 12-14

Взаимодействие радиационных дефектов с кластерами атомов никеля в кремнии

Abstract