Немонотонность вольт-фарадных характеристик структур металл-стекло-полупроводник

Власов С.И., Насиров А.А., Маматкаримов О.О., Эргашева М.А.

Abstract

УДК 621.315.592.4

Изучена природа немонотонности высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-стекло-полупроводник. Показано, что немонотонное изменение емкости структуры металл-диэлектрик-полупроводник при инверсионных напряжениях может быть обусловлено наличием структурного дефекта акцепторного характера в стекле, в слое, прилегающем к границе раздела стекло-полупроводник.

The nature of not monotony high-frequency volt-farad characteristics of the structures metal-glass-semiconductor is investigated. It is shown that the not monotonous change of capacity of the metal-glass-semiconductor at inverse voltage can be caused by presence of structural defect acseptors character in glass, in a layer adjoining to the separating border of the glass-semiconductor.

Download full-text PDF. 4155 downloads

Menu

Vol. 44 (2008), Issue 3, p. 99-101

Немонотонность вольт-фарадных характеристик структур металл-стекло-полупроводник

Abstract