Влияние атомов марганца на магнитные свойства кремния

Abstract

УДК 621.315.592

Показана возможность управления состоянием атомов марганца в решетке кремния, что позволяет варьировать состояние и характер магнитосопротивления материала. Установлены закономерности изменения магнитосопротивления в кремнии с атомами марганца (одиночными атомами и кластерами) в зависимости от температуры, освещения и электрического поля.

Ключевые слова: магнитосопротивления, кластеры атомов марганца, отрицательное магнитосопротивление, кремний, проводимость.

The authors in the present paper suggest that it is possible to manipulate the state of manganese atoms in the silicon lattice, thus significantly changing the state and character of the magnetic resistance of the studied silicon sample. The authors have been able to determine how magnetic resistance in silicon with a varying number of manganese atoms (single atomic or aggregates) changes as a function of temperature, light, and electric field.

Keywords: magnetoresistance, clusters of manganese atoms, negative magnetoresistance, silicon, conductivity.

Download full-text PDF. 648 downloads

Menu

Vol. 58 (2022), Issue 4, p. 46-50

Влияние атомов марганца на магнитные свойства кремния

Abstract