https://doi.org/10.52577/eom.2022.58.2.61
УДК 537.525
Для формирования топологии на поверхности полупроводников часто применяется галоген-содержащая плазма, в частности фреоны. В статье проведено сравнительное исследование плазмохимического взаимодействия фреона R-23 с поверхностью полупроводников методом атомно-силовой микроскопии; кремния и арсенида галлия в плане чистоты и равномерности процесса. Фреон R-23 широко применяется в технологии промышленного травления Si, Ge и ряда других материалов, обеспечивая приемлемые скорости взаимодействия, сохраняя равномерную поверхность пригодную для дальнейших операций технологического цикла.
Ключевые слова: плазма, травление, поверхность, топология, фреоны, полупроводники.
To form topology on the surface of semiconductors, halogen-containing plasma, in particular freons, is often used. This article presents a comparative study of the plasma-chemical interaction of R-23 freon with the semiconductors surface by the atomic-force microscopy; silicon and gallium arsenide in terms of purity and uniformity of the process. Freon R-23 is widely used in the technology of industrial etching of Si, Ge, and a number of other materials, providing acceptable rates of interaction while maintaining a uniform surface suitable for further operations of the technological cycle.
Keywords: рlasma, etching, surface, topology, freons, emiconductors
Download full-text PDF. 250 downloads
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.