Электрохимическое осаждение сульфида цинка из электролита на основе Nа₂SO₃

Abstract

УДК 544.6.018.47. -039.6

Рассмотрены особенности электрохимического выращивания сульфида цинка из водного электролита на основе сульфита натрия и сульфата цинка. Определены условия электрохимического получения пленок ZnS. Показано, что величина потенциала, при котором образуется слой ZnS, ограничена достижением критического тока, обусловленного диффузионными ограничениями электрохимического процесса восстановления сульфит-иона. Отмечено, что получаемые пленки содержат избыток серы, удаление которой и получение стехиометрического состава достигаются термообработкой. Предложен механизм реакций, в результате протекания которых происходит образование сульфида цинка.

Ключевые слова: электрохимическое осаждение, полупроводниковая пленка, сульфид цинка.

The paper considers the features of electrochemical growth of zinc sulfide from an aqueous electrolyte based on sodium sulfite and zinc sulfate. The conditions for the electrochemical production of ZnS films are determined. It is shown that the value of the potential at which a ZnS layer is formed is limited by the achievement of the critical current due to the diffusion limitations of the electrochemical process of reducing the sulfite ion. It is shown that the resulting films contain an excess of sulfur, which is removed, and the stoichiometric composition is obtained by heat treatment. Aed mechanism of reactions resulting in the formation of zinc sulfide is proposed.

Keywords: electrochemical sedimentation, semiconductor film, zinc sulfide.

Download full-text PDF. 291 downloads

Menu

Vol. 57 (2021), Issue 5, p. 20-26

Электрохимическое осаждение сульфида цинка из электролита на основе Nа2SO3

Abstract

Электрохимическое осаждение сульфида цинка из электролита на основе Nа₂SO₃