Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых проволоках

Эшпулатов Б., Арзикулов Э. У., Хужанова Д. Ш.

Abstract

УДК 621.315.592

Вычислено дифференциальное сечение комбинационного рассеяния света в полупроводниковых размерно-квантованных проволоках. Рассмотрено межзонные переходы между размерно-квантованными под зонами. Показано, что в промежуточных состояниях существуют электронно-дырочные пары относящихся под зонам зоны проводимости и валентной зоны. Анализируется зависимость сечения рассеяния от частоты возбуждающего и рассеянного света для произвольной поляризации вторичного излучения. Показано сингулярности дифференциального сечения рассеяния.

Raman scattering differential cross section for a semiconductor quantum wires have been calculated. Considering interband transitions between the size quantized subbands. Existing the electron-hole pairs in the transient states belonging to subbands of conduction and valence bands are predicted. Photon frequency dependence of the cross section for excited and scattered radiation is analyzed for arbitrary polarization of secondary radiation. Singularities of the scattered radiation differential cross section are predicted.

Download full-text PDF. 3156 downloads

Menu

Vol. 46 (2010), Issue 1, p. 90-96

Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых проволоках

Abstract