Электрические свойства тонкопленочных композитных резисторов на основе халькопиритных соединений типа CuInSe₂ – MnSe и CuInSe₂ – FeSe

Гашимов А.М., Гасанлы Ш.М., Самедова У.Ф.

Abstract

УДК 633.3

Обнаружен варисторный эффект в композитах на основе неполярного полимера (полиэтилена) и халькопиритной фазы CuInSe₂. Полученные экспериментальные результаты объясняются на основе переноса носителей тока в поликристаллических структурах.

A varistor effect is established in composites on the basis of non-polar polymer (polyethylene) and chalcopyrite phase of CuInSe₂ compound. The obtained experimental results are explained in terms of current carriers transfer in polycrystalline structures.

Download full-text PDF. 3500 downloads

Menu

Vol. 46 (2010), Issue 1, p. 84-89

Электрические свойства тонкопленочных композитных резисторов на основе халькопиритных соединений типа CuInSe2 – MnSe и CuInSe2 – FeSe

Abstract

Электрические свойства тонкопленочных композитных резисторов на основе халькопиритных соединений типа CuInSe₂ – MnSe и CuInSe₂ – FeSe