ELECTRICAL PROCESSES IN ENGINEERING AND CHEMISTRY
Войтех С.Н., Колесник И.И., Русецкий А.М.
УДК 621.3 049.77.001.2
Проекционная фотолитография остается одним из основных методов, используемых при производстве кремниевых интегральных схем с проектными нормами менее 1,0 мкм. Надежное получение и повышение качества структур наряду с улучшением разрешения требует детального анализа всех факторов, влияющих на процесс формирования топологического изображения, включая характеристики исходных кремниевых пластин. В настоящей работе рассматриваются особенности формирования изображения базовых элементов промежуточного шаблона установками проекционной печати ЭМ-5084Э, ЭМ-5384А с масштабом изображения 5:1 с последующей оптимизацией параметров процесса экспонирования, а также влияния неплоскостности исходных кремниевых пластин и рельефа структуры ИС на качество переноса изображения. В заключении даются рекомендации по требованиям к неплоскостности полупроводниковых пластин и величины рельефа для формирования качественного топологического изображения.
The work investigates the key suitability criteria for use of Specialized Technological Equipment (STE) in the process of Sub-Micron IC (SMIC) fabrication. Thorough investigation was made and general technical demands to design, fabrication and transportation and use of various types of (STE) for SMIC were stated.
Download full-text PDF. 353 downloads
Web-Design Web-Development SEO - eJoom Software. All rights reserved.