Высокоскоростное удаление фоторезистивных пленок в послесвечении СВЧ разряда в кислороде

Abstract

УДК 621.9.048.7

Представлены результаты экспериментального исследования процесса удаления фоторезистивных защитных покрытий в зоне послесвечения плазмы СВЧ разряда в кислороде. Процесс характеризуется высокими качественными и количественными показателями, что делает его перспективным для применения в технологии изготовления БИС и СБИС при использовании подложек диаметром 150, 200 и 300 мм в условиях автоматизированного производства.

The results of experimental investigation the process of removing protoresistive protection layers in oxygen microwave discharge afterglow are presented. The process demonstrated a good characteristics and may be successfully used in very-large-scale integration (VLSI) processing with substrates diameter 150, 200 and 300 mm under conditions of fully automatized manufacture.

Download full-text PDF. 545 downloads

Menu

Vol. 37 (2001), Issue 6, p. 80-83

Высокоскоростное удаление фоторезистивных пленок в послесвечении СВЧ разряда в кислороде

Abstract