Vol. 48 (2012), Issue 1, p. 93–105

Отжиг радиационных дефектов в кремнии

Abstract

УДК 621.315.592

Теоретически описан отжиг основных радиационных дефектов в кремнии (А‑центров, Е‑центров, дивакансий и т. д.) на основе экспериментальных данных, полученных многими авторами; определены параметры, характеризующие этот процесс (энергии активации и частотные факторы), а также предложены различные механизмы и реакции, согласно которым происходят процессы отжига дефектов.

In this paper the annealing of the main radiation defects in silicon (A‑centers, E‑centers, divacancies, etc.) was theoretically described based on the experimental data obtained by many authors. The parameters characterizing this process (activation energies and frequency factors) have been determined and various mechanisms and reactions, which set conditions for annealing of the defects were also proposed.

Download full-text PDF. 5808 downloads

Menu

Vol. 48 (2012), Issue 1, p. 93–105

Отжиг радиационных дефектов в кремнии

Abstract