Электрофизические характеристики Au-n-Inp и роль переходного слоя

Бахадирханов М.К., Ибрагимов Ш.Б., Камасов И.Р.

Abstract

УДК 621. 315. 592

Работа посвящена детальному анализу электрофизических свойств металло-полупроводник (МП) с барьером Шоттки на InP. На его основе установлен механизм токопереноса в контактах и влияние на них концентрации носителей заряда и температуры. Дано обоснование необходимости применения для описания характеристик МП–структур на InP, модели контактов с переходным слоем. Разработан новый метод изготовления Au-n-InP диодов Шоттки с промежуточным слоем, которые могут быть использованы для изготовления ПШТ на InP.

Work is devoted to the detailed analysis of physical properties of metal semiconductor (MS) with barrier Shottki on InP. On its basis a mechanism of current transport in contacts and the influence of concentration of carriers of charge and temperature is established. The substantiation of necessity of application of the model of contacts with a transitive layer for the description of characteristics of MS-structures on InS is given. The new method of manufacturing Au-n-InP Shottki diodes with an intermediate layer can be used for manufacturing (FST) on InP.

Download full-text PDF. 3683 downloads

Menu

Vol. 40 (2004), Issue 1, p. 88-91

Электрофизические характеристики Au-n-Inp и роль переходного слоя

Abstract